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W25Q32FVSSIP TR、W25Q32JVSSIQ TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q32FVSSIP TR W25Q32JVSSIQ TR

描述 IC FLASH 32Mbit 104MHz 8SOICIC FLASH 32Mbit 4KB 8SOP

数据手册 --

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅