BSO615N、BSO615N G、BSO615NGHUMA1对比区别

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型号 BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1

描述 SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-TransistorINFINEON  BSO615N G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 VINFINEON  BSO615NGHUMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 2.60 A 2.60 A 2.60 A

极性 N-CH Dual N-Channel Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 2.60 A 2.60 A 2.60 A

上升时间 15 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 380pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 15 ns 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2000 mW

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.12 Ω 0.12 Ω

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 1.6 V 1.6 V

输入电容 - 380 pF 380 pF

栅电荷 - 20.0 nC 20.0 nC

额定功率 - - 2 W

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -