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BCW61A、BCW66G、BCW61C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW61A BCW66G BCW61C

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorON Semiconductor BCW66G , NPN 晶体管, 1 A, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装t-Pnp Si- Gen Pur

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23-3-3 SOT-23-3 -

引脚数 - 3 -

极性 PNP - -

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A - -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 350 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @100mA, 1V -

额定功率(Max) - 350 mW -

直流电流增益(hFE) - 160 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 350 mW -

封装 SOT-23-3-3 SOT-23-3 -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.93 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -