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MRF1946、SD1274-01对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF1946 SD1274-01

描述 RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, FM-4RF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

数据手册 --

制造商 Advanced Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 4

封装 - M-113

额定电压(DC) - 36.0 V

额定电流 - 8.00 A

耗散功率 - 70 W

击穿电压(集电极-发射极) - 16 V

增益 - 10 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @250mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 20 @250mA, 5V

额定功率(Max) - 70 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 70000 mW

长度 - 24.89 mm

宽度 - 6.48 mm

高度 - 7.11 mm

封装 - M-113

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99