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JANTX1N5186、MUR460、JANTX1N5811对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5186 MUR460 JANTX1N5811

描述 Diode Switching 100V 3A 2Pin Case EDiode: rectifying; 600V; 4A; 22A; 60nsDiode Switching Diode 150V 6A 2Pin Case G-112

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Diotec Semiconductor Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 Case E - G-112

反向恢复时间 150 ns 75 ns 30 ns

正向电压(Max) 1.5V @9A - 875mV @4A

正向电压 1.5V @9A - -

正向电流 3000 mA - -

正向电流(Max) 3000 mA - -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

封装 Case E - G-112

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free