NTR4501NT1G、TSM2314CX RFG、SI2302CDS-T1-GE3对比区别

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型号 NTR4501NT1G TSM2314CX RFG SI2302CDS-T1-GE3

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTR4501NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 VN-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor### MOSFET 晶体管，Taiwan SemiconductorVISHAY  SI2302CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 TO-236

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.08 Ω 0.027 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 1.25 W 1.25 W 710 mW

阈值电压 1.2 V 850 mV 850 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3.20 A - 2.90 A

上升时间 12 ns 1.4 ns 7 ns

下降时间 3 ns 5.9 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 3.20 A - -

额定功率 1.25 W - -

无卤素状态 Halogen Free - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

输入电容(Ciss) 200pF @10V(Vds) 900pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 1.25 W - -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.25 W 1.25 W -

封装 SOT-23-3 SOT-23 TO-236

长度 2.9 mm 3.1 mm -

宽度 1.3 mm 1.7 mm -

高度 0.94 mm 1.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99