FDS4935A、MMDF3N02HDR2G、IRF7406TRPBF对比区别
型号 FDS4935A MMDF3N02HDR2G IRF7406TRPBF
描述 PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。3A,20V,SO-8,N沟道功率双MOSFETHEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.023 Ω 90.0 mΩ 0.045 Ω
耗散功率 2 W 2W (Ta) 2.5 W
阈值电压 1.6 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
上升时间 10 ns - 33 ns
输入电容(Ciss) 1233pF @15V(Vds) 630pF @16V(Vds) 1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW - 2.5 W
下降时间 25 ns - 47 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - -20.0 V -
额定电流 - -3.80 A -
极性 - N-Channel P-Channel
输入电容 - 630 pF -
栅电荷 - 18.0 nC -
漏源击穿电压 - 20.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 3.00 A 5.8A
额定功率 - - 2.5 W
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -