IXTH140P10T、IXTT140P10T对比区别

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型号 IXTH140P10T IXTT140P10T

描述 TO-247P-CH 100V 140AP沟道 100V 140A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-268-3

引脚数 - 3

通道数 1 -

漏源极电阻 10 mΩ -

极性 P-CH P-CH

耗散功率 568 W 568 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V -

连续漏极电流(Ids) 140A 140A

上升时间 26 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 31400pF @25V(Vds) 31400pF @25V(Vds)

下降时间 26 ns 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 568W (Tc) 568W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free