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IRFS7530-7PPBF、IRFS7530TRL7PP、IRFS7534TRL7PP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS7530-7PPBF IRFS7530TRL7PP IRFS7534TRL7PP

描述 INFINEON  IRFS7530-7PPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 338 A, 60 V, 0.00115 ohm, 10 V, 3.7 V 新INFINEON  IRFS7530TRL7PP  晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.00115 ohm, 10 V, 3.7 VINFINEON  IRFS7534TRL7PP  晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7 7

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-3

针脚数 7 7 7

漏源极电阻 0.00115 Ω 0.00115 Ω 0.0016 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 375 W 290 W

阈值电压 3.7 V 3.7 V 3.7 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 338A 338A 255A

上升时间 102 ns 102 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 12960pF @25V(Vds) 12960pF @25V(Vds) 9990pF @25V(Vds)

下降时间 79 ns 79 ns 86 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 375000 mW 290 W

输入电容 12960 pF - -

额定功率 - 375 W -

长度 10.54 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 4.69 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 9.65 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -