STB30N65M5、STI30N65M5、STP30N65M5对比区别

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型号 STB30N65M5 STI30N65M5 STP30N65M5

描述 N沟道650 V， 0.125 I© ， 22 A， MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247N沟道650 V， 0.125 I© ， 22 A， MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， I²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247STMICROELECTRONICS  STP30N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3

耗散功率 140 W 140 W 140 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

上升时间 8 ns 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 2880pF @100V(Vds) 2880pF @100V(Vds) 2880pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 140 W - 140 W

下降时间 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.125 Ω 0.125 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 22A 22A

封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -