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IXFT80N10、IXTA80N10T7、IXTP80N10T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT80N10 IXTA80N10T7 IXTP80N10T

描述 TO-268 N-CH 100V 80AD2PAK N-CH 100V 80AIXTP80N10T 管装

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-268-2 TO-263-7 TO-220-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 230W (Tc) 230 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A -

输入电容(Ciss) - 3040pF @25V(Vds) 3040pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 230W (Tc) 230W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 14 mΩ

漏源击穿电压 - - 100 V

上升时间 - - 54 ns

额定功率(Max) - - 230 W

下降时间 - - 48 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-268-2 TO-263-7 TO-220-3

长度 - - 10.66 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 9.15 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free