PSMN057-200B、PSMN057-200B,118对比区别

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型号 PSMN057-200B PSMN057-200B,118

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorPSMN057-200B,118 编带

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

封装 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

耗散功率 250 W 250 W

上升时间 58 ns 58 ns

下降时间 78 ns 78 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

通道数 - 1

漏源极电阻 - 57 mΩ

输入电容 - 3750 pF

漏源极电压(Vds) - 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

输入电容(Ciss) - 3750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 250 W

耗散功率(Max) - 250W (Tc)

极性 - -

连续漏极电流(Ids) - -

长度 10.3 mm 10.3 mm

宽度 9.4 mm 9.4 mm

高度 4.5 mm 4.5 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)