VI20150C-E3/4W、VI20150C-M3/4W、VI20150CHM3/4W对比区别

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型号 VI20150C-E3/4W VI20150C-M3/4W VI20150CHM3/4W

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 ADiode Schottky 150V 20A 3Pin(3+Tab) TO-262AA Tube整流器 RECOMMENDED ALT 78-V20PW15CHM3/I

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列TVS二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

正向电压 1.2V @10A 1.2V @10A 1.2V @10A

正向电压(Max) 1.2V @10A - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅