IXTP36N30P、IXTQ36N30P、IXTA36N30P对比区别
型号 IXTP36N30P IXTQ36N30P IXTA36N30P
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 300V 36AN沟道 300V 36A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.092 Ω - -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 300 W 300 W 300 W
阈值电压 5.5 V - -
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 36A 36A 36A
上升时间 30 ns 30 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W
下降时间 28 ns 28 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
长度 10.66 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 9.15 mm - -
封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free