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5204-0017-65、FDS4935BZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5204-0017-65 FDS4935BZ

描述 AG/NI FILLED SILICONE FLANGE MOUFDS4935BZ 系列 30 V 22 mOhm 双 30 V P 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8

数据手册 --

制造商 Leader Tech ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

封装 - SOIC-8

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.022 Ω

耗散功率 - 1.6 W

阈值电压 - 1.9 V

输入电容 - 1360 pF

漏源极电压(Vds) - 30 V

上升时间 - 13 ns

输入电容(Ciss) - 1360pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 900 mW

下降时间 - 38 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1600 mW

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 - SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free