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STP100NF04、BUK652R3-40C,127、IRF1104PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP100NF04 BUK652R3-40C,127 IRF1104PBF

描述 N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTO-220AB N-CH 40V 120AINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1104PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 100A, TO-220AB 新

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 120 A - 100 A

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0046 Ω - 9 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 306 W 170 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V - 40 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 120 A 120A 100 A

上升时间 220 ns - -

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 15100pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 306 W 170 W

下降时间 50 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 306W (Tc) -

产品系列 - - IRF1104

输入电容 - - 2900pF @25V

长度 10.4 mm - 10.54 mm

宽度 4.6 mm - -

高度 9.15 mm - 15.24 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -