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SI4913DY-T1-E3、SI9934BDY-T1-E3、SI4913DY-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4913DY-T1-E3 SI9934BDY-T1-E3 SI4913DY-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOICMOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOICMOSFET 20V 9.4A 2W 15mohm @ 4.5V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel Dual P-Channel

漏源极电压(Vds) 20 V 12 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 9.40 A -6.40 A 9.40 A

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.75 mm - 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -