IRLR3110ZTRLPBF、IRLR3110ZTRPBF、IRLR3110ZPBF对比区别
型号 IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZPBF
描述 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRLPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 140 W 140 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 63A 63A 63A
上升时间 110 ns 110 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 3980pF @25V(Vds) 3980pF @25V(Vds) 3980pF @25V(Vds)
下降时间 48 ns 48 ns 48 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
额定功率 - 140 W 140 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 16 mΩ 0.014 Ω
阈值电压 - 1 V 2.5 V
输入电容 - 3980 pF 3980pF @25V
反向恢复时间 - - 34 ns
正向电压(Max) - - 1.3 V
额定功率(Max) - 140 W 140 W
长度 10.67 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 9.65 mm 7.49 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free