BSC020N03MSGATMA1、IRFH5301TR2PBF对比区别

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型号 BSC020N03MSGATMA1 IRFH5301TR2PBF

描述 INFINEON  BSC020N03MSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 1.7 mohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRFH5301TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PG-TDSON-8 QFN-8

额定功率 96 W -

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0017 Ω 0.00155 Ω

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 96 W 110 W

阈值电压 1 V 1.8 V

输入电容 7200 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 25A 35A

上升时间 14 ns 78 ns

输入电容(Ciss) 7200pF @15V(Vds) 5114pF @15V(Vds)

下降时间 14 ns 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc)

通道数 - 1

漏源击穿电压 - 30 V

额定功率(Max) - 3.6 W

长度 5.35 mm 5 mm

宽度 5.15 mm 6 mm

高度 1.27 mm 0.81 mm

封装 PG-TDSON-8 QFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17