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2N5039、JAN2N5664、2N3584对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5039 JAN2N5664 2N3584

描述 Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin(2+Tab) TO-3NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-213 TO-66-2

引脚数 2 3 -

耗散功率 200 W - 35 W

击穿电压(集电极-发射极) - 200 V 250 V

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1A, 5V 25 @1A, 10V

额定功率(Max) - 2.5 W 35 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW -

极性 NPN - -

直流电流增益(hFE) 50 - -

封装 TO-3 TO-213 TO-66-2

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

HTS代码 85412900951 - -