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CY7C199CN-12ZXC、IS61C256AH-12TI、IS61C256AL-12TLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C199CN-12ZXC IS61C256AH-12TI IS61C256AL-12TLI-TR

描述 256K ( 32K ×8 )静态RAM 256K (32K x 8) Static RAMStandard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28静态随机存取存储器 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 28 - 28

封装 TSOP-28 TSOP TSOP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

位数 8 - 8

存取时间 12.0 ns - 12 ns

内存容量 256000 B - 256000 B

存取时间(Max) 12 ns - 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

时钟频率 12.0 GHz - -

封装 TSOP-28 TSOP TSOP-28

高度 1.02 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray, Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead 无铅

ECCN代码 - - EAR99