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K6T0808C1D-DL70、KM62256CLP-7L、M5M5256BP-70LL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K6T0808C1D-DL70 KM62256CLP-7L M5M5256BP-70LL

描述 512Kbit SRAM 70ns 28-DIP - K6T0808C1D-DL7032Kx8 bit low power CMOS static RAM, 70ns, LL-pwrStandard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Samsung (三星) Mitsubishi (三菱)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

安装方式 - - Through Hole

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

电源电压 - - 5 V