BSM10GD120DN2、BSM10GD120DN2E3224、MWI15-12A7对比区别

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型号 BSM10GD120DN2 BSM10GD120DN2E3224 MWI15-12A7

描述 INFINEON  BSM10GD120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK电源模块 Power moduleTrans IGBT Module N-CH 1200V 30A 140000mW 17Pin

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Solder Screw Screw

封装 EconoPACK EconoPACK 2 E2

引脚数 17 - 17

耗散功率 80 W 80 W 140000 mW

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

针脚数 17 - -

极性 N-Channel - -

击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V

输入电容(Cies) - - 1nF @25V

额定功率(Max) - - 140 W

耗散功率(Max) - - 140000 mW

长度 107.5 mm 107.5 mm -

宽度 45.5 mm 45 mm -

高度 17 mm 17 mm -

封装 EconoPACK EconoPACK 2 E2

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 - - -40℃ ~ 125℃ (TJ)