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CY7C1460AV25-167BZXI、CY7C1460AV25-200BZXI、CY7C1460KV25-167BZXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1460AV25-167BZXI CY7C1460AV25-200BZXI CY7C1460KV25-167BZXI

描述 36兆位( 1M ×36 / 2M ×18 / 512K X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture36兆位( 1M ×36 / 2M ×18 / 512K X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture静态随机存取存储器 Sync 静态随机存取存储器s

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 36 36 36

存取时间 3.4 ns 3.2 ns 3.4 ns

存取时间(Max) 3.4 ns 3.2 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V

供电电流 - 385 mA -

时钟频率 - 200 MHz -

电源电压(Max) - 2.625 V -

电源电压(Min) - 2.375 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.b