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6116LA55DB、6116SA55DB、CY6116A-55DMB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA55DB 6116SA55DB CY6116A-55DMB

描述 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 CDIP-24 CDIP-24 CDIP

存取时间 55 ns 55 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

位数 - - 8

存取时间(Max) - - 55 ns

电源电压 - - 5 V

长度 32 mm 32 mm -

宽度 15.24 mm 15.24 mm -

高度 2.9 mm 2.9 mm -

封装 CDIP-24 CDIP-24 CDIP

厚度 2.90 mm 2.90 mm -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - - 3A001.a.2.c