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PSMN4R3-30PL、PHP101NQ03LT,127、PHP101NQ03LT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN4R3-30PL PHP101NQ03LT,127 PHP101NQ03LT

描述 NXP  PSMN4R3-30PL  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeMOSFET, N, 30V, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 75A; Drain Source Voltage Vds: 3...

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 3.5 mΩ - -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 103 W 166 W 166 W

阈值电压 1.7 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 100A - 75.0 A

输入电容(Ciss) 2400pF @12V(Vds) 2180pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 103 W 166W (Tc) -

上升时间 - 90 ns -

额定功率(Max) - 166 W -

下降时间 - 33 ns -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 75.0 A

输入电容 - - 2.18 nF

栅电荷 - - 23.0 nC

长度 10.3 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16 mm - -

封装 TO-220 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - Lead Free Lead Free