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JANS2N918UB、JANTX2N918UB、JANTXV2N918UB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N918UB JANTX2N918UB JANTXV2N918UB

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC PACKAGE-3NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTrans RF BJT NPN 15V 0.05A 3Pin CSOT-23

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 - SMD-4 SOT

耗散功率 - 200 mW -

输入电容 - 2 pF -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @3mA, 1V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 - SMD-4 SOT

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Pack -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -