锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CY62137CV30LL-55BVI、CY62137CV30LL-55BVXI、CY62137CV30LL-55BAI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62137CV30LL-55BVI CY62137CV30LL-55BVXI CY62137CV30LL-55BAI

描述 2M ( 128K ×16 )静态RAM 2M (128K x 16) Static RAM2M ( 128K ×16 )静态RAM 2M (128K x 16) Static RAM2Mb (128K X 16)- SLOW ASYNCH SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 FBGA VFBGA-48 -

电源电压(DC) - 3.00 V, 3.30 V (max) -

时钟频率 - 55.0 GHz -

存取时间 - 55.0 ns -

内存容量 - 2000000 B -

电源电压 3 V 2.7V ~ 3.3V -

封装 FBGA VFBGA-48 -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown -

包装方式 - Tray, Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -