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J113、J113-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J113 J113-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J113  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 2 mA, -3 V, TO-92, JFETTransistor: unipolar, N-MOSFET; 35V; 0.002A; 0.36W; TO92

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 TO-226-3 TO-92

安装方式 Through Hole -

额定功率 - 0.36 W

耗散功率 625 mW 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 360 mW

额定电压(DC) 35.0 V -

额定电流 50.0 mA -

击穿电压 -35.0 V -

漏源极电阻 100 Ω -

极性 N-Channel -

漏源极电压(Vds) 35.0 V -

栅源击穿电压 35 V -

连续漏极电流(Ids) 2.00 mA -

击穿电压 35 V -

额定功率(Max) 625 mW -

封装 TO-226-3 TO-92

高度 5.33 mm -

长度 5.2 mm -

宽度 4.19 mm -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active -

包装方式 Bulk -

ECCN代码 EAR99 -