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IS42S16160D-6BLI、MT48LC16M16A2BG-7E:D、IS42S16160G-6BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16160D-6BLI MT48LC16M16A2BG-7E:D IS42S16160G-6BLI

描述 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 Ball BGA (8mmx13mm) RoHS, ITDRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin VFBGASynchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.80 MMM, PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-54

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TFBGA-54 VFBGA-54 BGA-54

供电电流 180 mA 135 mA 160 mA

位数 - 16 16

存取时间 6 ns 133 µs 5.4 ns

存取时间(Max) - 5.4 ns 5.4 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

工作电压 - 3.30 V -

时钟频率 - 143MHz (max) -

内存容量 - 256000000 B -

封装 TFBGA-54 VFBGA-54 BGA-54

长度 13 mm - -

宽度 8 mm - -

高度 - 0.65 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - - EAR99