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AOT10T60L、AOT10T60PL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOT10T60L AOT10T60PL

描述 TO-220 N-CH 600V 10ATO-220 N-CH 600V 10A

数据手册 --

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 208W (Tc) 208W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 10A 10A

上升时间 60 ns -

输入电容(Ciss) 1346pF @100V(Vds) 1595pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 208 W -

下降时间 35 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅