BSC060P03NS3EGATMA1、FDMS6673BZ对比区别
型号 BSC060P03NS3EGATMA1 FDMS6673BZ
描述 INFINEON BSC060P03NS3EGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 VPowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PG-TDSON Power-56
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0041 Ω 0.0052 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 83 W 73 W
阈值电压 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 17.7A 15.2A
上升时间 139 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 4530pF @15V(Vds) 5915pF @15V(Vds)
下降时间 34 ns 79 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta), 73W (Tc)
输入电容 - -
额定功率(Max) - 2.5 W
长度 6.35 mm 5 mm
宽度 5.35 mm 6 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm
封装 PG-TDSON Power-56
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15