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BTS6163D、BTS6163DAUMA1、BTS432E2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS6163D BTS6163DAUMA1 BTS432E2

描述 INFINEON  BTS6163D  电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 80A, TO-252-5INFINEON  BTS6163DAUMA1  电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 80A, TO-252-5PROFET™ 智能高侧电源开关,单通道,Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器负载控制器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 5 5 5

封装 TO-252-5 TO-252 TO-220-5

输出接口数 1 1 1

输出电流 5.5 A 5.5 A 11 A

通道数 1 - 1

针脚数 5 5 5

耗散功率 59 W 59 W 125 W

输出电流(Max) 5.5 A - 9 A

输出电流(Min) 5.5 A 5.5 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 59000 mW 59000 mW -

电源电压 5.5V ~ 62V - 4.5V ~ 42V

电源电压(DC) - - 42.0V (max)

输入电压(DC) - - 42.0 V

输出电压 - - 4.5.42 V

漏源极电阻 - - 30 mΩ

极性 - - N-Channel

漏源极电压(Vds) - - 42 V

连续漏极电流(Ids) - - 11.0 A

输入电压(Max) - - 6 V

输入电压(Min) - - 0.5 V

输入数 - - 1

输入电压 - - 6 V

长度 6.5 mm 6.5 mm 9.9 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 4.4 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 9.25 mm

封装 TO-252-5 TO-252 TO-220-5

厚度 - - 4.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99