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AUIRF3205ZSTRR、IRF3205ZSPBF、AUIRF3205ZSTRL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF3205ZSTRR IRF3205ZSPBF AUIRF3205ZSTRL

描述 D2PAK N-CH 55V 110AD2PAK N-CH 55V 110A晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 170 W 170 W 170 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110A

上升时间 95 ns - 95 ns

下降时间 67 ns - 67 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.0065 Ω 0.0049 Ω

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容(Ciss) - 3450pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - - 170W (Tc)

额定功率(Max) - 170 W -

长度 10 mm - 10 mm

宽度 9.25 mm - 9.65 mm

高度 4.4 mm - 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)