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71256SA12PZGI8、IS61C256AL-12TLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71256SA12PZGI8 IS61C256AL-12TLI

描述 32K X 8 SRAMRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 28

封装 - TSOP-28

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - 5 V

供电电流 - 40 mA

针脚数 - 28

位数 - 8

存取时间 - 12 ns

内存容量 - 32000 B

存取时间(Max) - 12 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V

长度 - 8.1 mm

宽度 - 11.9 mm

高度 - 1 mm

封装 - TSOP-28

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99