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BZV55-B6V2、BZV55-B6V2,115、BZV55-B6V2135对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B6V2 BZV55-B6V2,115 BZV55-B6V2135

描述 BZV55-B6V2 稳压二极管 6.2V 500mW/0.5W SOD80/LL34-6.2V marking/标记 低电压的稳定剂或电压基准NXP  BZV55-B6V2,115  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 400 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C6.2V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOD-80 SOD-80 -

引脚数 - 2 -

封装 SOD-80 SOD-80 -

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

容差 - ±2 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 - 400 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 6.2 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 2.3 mV/K -