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IS43DR16640B-25DBL、IS43DR16640B-25DBLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16640B-25DBL IS43DR16640B-25DBLI

描述 动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS43DR16640B-25DBLI  芯片, 存储器, SDRAM, DDR2, 1GB, 1.8V, 84BGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 BGA-84 BGA-84

供电电流 240 mA 240 mA

针脚数 - 84

时钟频率 400 MHz 400 MHz

位数 16 16

存取时间 400 ps 400 ps

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V

封装 BGA-84 BGA-84

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99