IXTP1R6N50P、IXTY1R6N50P对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXTP1R6N50P IXTY1R6N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin(2+Tab) TO-252AA

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 1.00 A 1.00 A

耗散功率 43 W 43W (Tc)

输入电容 140 pF 140 pF

栅电荷 3.90 nC 3.90 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.60 A

上升时间 26 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds)

下降时间 23 ns 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 43W (Tc) 43W (Tc)

通道数 1 -

漏源极电阻 6.5 Ω -

极性 N-Channel -

阈值电压 5.5 V -

漏源击穿电压 500 V -

额定功率(Max) 43 W -

封装 TO-220-3 TO-252-3

长度 10.66 mm -

宽度 4.83 mm -

高度 16 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free