LM358DT、LM358WDT、LM358N对比区别

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型号 LM358DT LM358WDT LM358N

描述 STMICROELECTRONICS  LM358DT  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚签名系列运算放大器 SIGNATURE SERIES Operational AmplifiersSTMICROELECTRONICS  LM358N  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

电源电压(DC) 32.0 V - 5.00 V

输出电流 60 mA - -

供电电流 700 µA 700 µA 700 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 - 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 85 dB - 70 dB

带宽 1.1 MHz - 1.1 MHz

转换速率 600 mV/μs - 600 mV/μs

增益频宽积 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

输入补偿电压 2 mV 2 mV 2 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB - -

电源电压 3V ~ 30V - 3V ~ 30V

工作电压 - - 3V ~ 32V

耗散功率 - 450 mW 500 mW

电源电压(Max) - - 30 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 9.27 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 6.35 mm

高度 1.65 mm 1.38 mm 3.3 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -