FQD12N20L、FQD18N20V2TM、IRFR13N20DPBF对比区别
型号 FQD12N20L FQD18N20V2TM IRFR13N20DPBF
描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFETQFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON IRFR13N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 235 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3
额定功率 2.5 W - 110 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 0.14 Ω 0.235 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2.5 W 110 W
阈值电压 - 5 V 5.5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9A 15.0 mA 13A
上升时间 - 133 ns 27 ns
输入电容(Ciss) - 1080pF @25V(Vds) 830pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 110 W
下降时间 - 62 ns 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5 W 110W (Tc)
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 15.0 A -
漏源击穿电压 - 200 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 - 6.6 mm 6.73 mm
宽度 - 6.1 mm 6.22 mm
高度 - 2.3 mm 2.39 mm
封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -