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IS43TR16128A-125KBLI、IS46TR16128A-125KBLA1、IS46TR16128A-125KBLA2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43TR16128A-125KBLI IS46TR16128A-125KBLA1 IS46TR16128A-125KBLA2

描述 DDR DRAM, 128MX16, 13.125ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-96DDR DRAM, 128MX16, 13.125ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-96DDR DRAM, 128MX16, 13.125ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-96

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 96 96 96

封装 FBGA-96 TFBGA-96 TFBGA-96

供电电流 155 mA - -

位数 16 16 16

存取时间 20 ns 20 ns 20 ns

存取时间(Max) 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V

高度 0.8 mm 0.8 mm -

封装 FBGA-96 TFBGA-96 TFBGA-96

工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Not Recommended

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅