IRFR9N20D、STD7NS20T4、IRFR9N20DTRL对比区别

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型号 IRFR9N20D STD7NS20T4 IRFR9N20DTRL

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3Pin (2+Tab) DPAKSTMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 200V 9.4A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 9.40 A 7.00 A 9.40 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.35 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 45 W 86W (Tc)

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.40 A 7.00 A 9.40 A

上升时间 16.0 ns 15 ns 16.0 ns

输入电容(Ciss) - 540pF @25V(Vds) 560pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 45 W -

下降时间 - 12 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 45W (Tc) 86W (Tc)

产品系列 IRFR9N20D - IRFR9N20D

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -