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DD200S65K1、DD250S65K3NOSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DD200S65K1 DD250S65K3NOSA1

描述 IGBT -模块 IGBT-Module6500V IHV 130mm Diode Module with Emitter Controlled 3 - Diode - The best solution for your traction and industry applications. Predestined to be combined with IGBT3 products.

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

引脚数 - 4

封装 IHV-130 A-IHV130-6

安装方式 Surface Mount -

封装 IHV-130 A-IHV130-6

长度 140 mm -

宽度 130 mm -

高度 38 mm -

工作温度 - -50℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99

正向电压 4.6 V -