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MMBTA56Q-13-F、MMBTA56Q-7-F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA56Q-13-F MMBTA56Q-7-F

描述 Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 PNP PNP

耗散功率 350 mW 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 310 mW 350 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 350 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free