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PRF957、PRF949,115、BFR181T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PRF957 PRF949,115 BFR181T

描述 超高频宽带晶体管 UHF wideband transistorPRF949,115 , NPN 射频双极晶体管, 0.05 A, Vce=10 V, HFE:100, 9000 MHz, 3针 SMPAK封装硅NPN平面RF晶体管 Silicon NPN Planar RF Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-323 SC-75-3 -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323 SC-75-3 -

长度 - 1.8 mm -

宽度 - 0.9 mm -

高度 - 0.85 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

频率 - 9000 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 150 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V -

增益 - 16dB ~ 10dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @5mA, 6V -

最大电流放大倍数(hFE) - 100 -

额定功率(Max) - 150 mW -

直流电流增益(hFE) - 150 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 150 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -