SI7686DP-T1-GE3、SIR472DP-T1-GE3对比区别
型号 SI7686DP-T1-GE3 SIR472DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7686DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 35A, SOICVISHAY SIR472DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 20A, SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.014 Ω 0.015 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 5 W 3.9 W
阈值电压 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 20.0 A
下降时间 8 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
上升时间 - 12 ns
输入电容(Ciss) - 820pF @15V(Vds)
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3900 mW
封装 SOIC SOIC-8
高度 - 1.07 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free