IRF840ASTRR、IRF840S、SPB04N60C3对比区别

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型号 IRF840ASTRR IRF840S SPB04N60C3

描述 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-CH 500V 8A D2PAKINFINEON  SPB04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 4 - 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

耗散功率 3.1W (Ta), 125W (Tc) - 50 W

漏源极电压(Vds) 500 V - 650 V

输入电容(Ciss) 1018pF @25V(Vds) - 490pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) - 50W (Tc)

额定电压(DC) - - 650 V

额定电流 - - 4.50 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.85 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 3 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.50 A

上升时间 - - 2.5 ns

额定功率(Max) - - 50 W

下降时间 - - 9.5 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

长度 - - 10.31 mm

宽度 - - 9.25 mm

高度 - - 4.57 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17