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JANTXV1N5531BUR-1、MLL5531B、JAN1N5531BUR-1TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N5531BUR-1 MLL5531B JAN1N5531BUR-1TR

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche DiodesZener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 - -

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag - -

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

耗散功率 0.5 W 500 mW -

测试电流 1 mA - -

稳压值 11 V 11 V -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 - -