FQPF9N50CYDTU、R5009FNX、SIHF8N50D-E3对比区别

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型号 FQPF9N50CYDTU R5009FNX SIHF8N50D-E3

描述 MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFETMOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220F-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.65 Ω 0.7 Ω

极性 N-CH N -

耗散功率 44W (Tc) 50W (Tc) 33 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 9A 9A -

上升时间 - 20 ns -

输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 630pF @25V(Vds) 527pF @100V(Vds)

下降时间 - 40 ns -

耗散功率(Max) 44W (Tc) 50W (Tc) 33W (Tc)

阈值电压 - - 3 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220F-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not For New Designs Active

包装方式 Tube, Rail Bulk -

最小包装 - 1000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free