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W25Q16BVSSIG TR、W25Q16DVSSIG TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q16BVSSIG TR W25Q16DVSSIG TR

描述 NOR Flash Serial-SPI 3.3V 16M-bit 2M x 8 6ns 8Pin SOICNOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8 7ns 8Pin SOIC W

数据手册 --

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 SOIC-8 SOIC-8

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅